近日，我国自律研制的又一款4英寸高纯半绝缘碳化硅衬底产品面世。据报导，该碳化硅项目由是山东天岳研制而出的。

中国电子材料行业协会的组织的专家指出，该成果国内领先，已超过国际先进设备水平。此前，北京某企业与中科院合作，顺利研制了从2英寸到6英寸的碳化硅衬底，已完成了我国碳化硅半导体从无到有的过程。如今，我国第二家企业也构建了碳化硅材料大规模量产，标志着我国碳化硅材料发展渐渐南北成熟期。

　　观察者网查找获知，山东天岳是与山东大学材料研究中心合作的一家碳化硅生产企业。材料科技仍然是制约我国军工发展的短板之一，2015年1月，观察者网曾报导，北京天科合达蓝光半导体有限公司与中科院合作顺利研发6英寸碳化硅衬底，并构成了一条年产7万片碳化硅晶片的生产线，该企业一度是中国唯一一家碳化硅半导体材料生产企业。

然而，材料科技的短板不仅是反映在技术上，更加反映在产量上。虽然相比较下技术上有所差距，但观察者网了解到，山东天岳的新生产线将超过年产40-50万片4英寸碳化硅衬底的程度，这样极大的规模，有可能意味著我国碳化硅产品的成本减少，在产量上取得进步。　　众所周知，目前大多数的半导体材料都是单晶硅，长期以来，我国的单晶硅主要依赖进口。

比起单晶硅，碳化硅材料的制作和应用于则仍然很艰难，当前世界上研发碳化硅器件的主要有美国、德国、瑞士、日本等国家，但直到现在碳化硅的工业应用于主要是作为磨料（金刚砂）用于。瑞士ABB曾多次一度顺利研发出有碳化硅二极管，然而在2002年，由于工艺艰难、前景未知，ABB中止了碳化硅项目，可见研发可玩性之大。　　半导体碳化硅衬底及芯片的最重要战略价值，使其一直位居美国商务部的经济制裁名单，这也造成我国很难从国外取得适当产品。

我国第二家企业对4英寸高纯半绝缘碳化硅衬底产品的研制成功，解释我国在碳化硅晶片产品在工艺和产量上早已能挣脱对国外的倚赖，南北了自主化的规模生产和广泛应用于。　　碳化硅物理特性与硅有相当大有所不同。单晶碳化硅比单晶硅具备很多良好的物理特性，例如约10倍的电场强度、约低3倍的热导率、约长3倍禁带宽度、约低一倍的饱和状态漂移速度。

除此之外，在明确的应用于上，虽然碳化硅器件的工艺可玩性比单晶硅大很多，但是一旦解决问题工艺问题，碳化硅器件生产流程较短，体积重量小、抗氧化寿命长、输出功率低的特点，将使其沦为近高于单晶硅的21世纪理想半导体材料。而且碳化硅材料对电力的能耗极低，按照如果年产40万片碳化硅晶片衬底的计划，意味着应用于在灯光领域，每年减耗的电能就相等于节约2600万吨标准煤，是一种理想的节约能源材料。

　　　　单晶碳化硅（SIC）和单晶硅（SI）材料性能较为　　由此可见，随着无线通信技术的飞速发展，对硬件系统低功率密度、慢响应速度的市场需求日益急迫，基于碳化硅材料的晶体管在微波射频领域具备单晶硅、砷化镓器件无法比拟的优势，合适航天、微波通信、电子对抗、大容量信息处理等应用于。美军第四代战斗机、电子干扰机和宙斯盾驱逐舰的相控阵雷达已开始改装碳化硅恩微波器件产品。随着我国碳化硅晶片生产能力的强化，国产战机、战舰都将能披上新的、性能更佳的千里眼，在质量和数量上增大和美国的差距。　　除了军用之外，民用半导体和电力领域也急需碳化硅材料。

据山东天岳官方网站的讲解，这是一家正式成立于2010年11月，以研制、生产半导体晶片及衬底材料居多的民营企业，是山东大学产业化基地、高新技术企业、山东省品牌建设样板企业。过去，碳化硅晶片的产量不能符合军用产品的必须，该企业40万片的年产量，意味著碳化硅晶片仍然是军用雷达电子设备的党和国家产品，其用途也许可以扩展到发电、电缆、铁路、灯光等民用领域，对国民经济发展充分发挥更大起到。

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